【快3计划客户端】理想丰满现实骨感,未达预期的3D V

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理想丰满现实骨感,未达预期的3D V-NAND技术

  • 2014-12-17 15:3000:08
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王诚
  • 作者:

【电脑报在线】去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其可不都可以使SSD实现更高的存储密度、写入速度、更低的功耗以及更高的稳定性,让没这么人对其抱有很高的期望。

        去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其可不都可以使SSD实现更高的存储密度、写入速度、更低的功耗以及更高的稳定性,让没这么人对其抱有很高的期望。就在本月,采用3D V-NAND技术的三星 83000PRO和83000EVO正式发布,这也由于 3DV-NAND可能实现商品化,不能自己全新的3DV-NAND技术的表现究竟怎样才能呢?

3D V-NAND技术揭秘

        作为闪存芯片(NAND)制造的新技术,3D V-NAND主要从行态方面对闪存芯片进行了改进。在后后 的闪存芯片中,采用的全是2D平面设计的存储单元(Cell)技术。使用3D V-NAND技术后后 ,则将闪存芯片中的晶体管竖了起来,后后 用绝缘体和控制栅极环绕包围这有有哪些晶体管,原本就形成了一另另2个多“站立”起来的同轴行态体。将有有哪些同轴行态体一层层向上堆叠,形成多层行态,就构成了3D V-NAND的基本行态。



闪存芯片传统行态(左)和3D行态的对比(右)

        不能自己看出,使用3D V-NAND技术后后 ,好比让平房变成了高楼,就能在同一面积的闪存芯片中倒进更多的存储单元,能助 增加单位面积内的存储容量。去年最早发布的3D V-NAND技术,只有堆叠24层,而在后后 发布的三星新款83000pro和83000evo中,可可不都可以实现32层的堆叠。



3D垂直堆叠技术的进化

本文出自2014-12-22出版的《电脑报》2014年第3000期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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